專利-2為台灣專利，名稱為"具兩端點記憶體胞元之隨機存取記憶體"，專利申請日為2025/10/29，專利公告日為2026/03/11，專利公告號為TWM680973U。
參照圖1，一先前技術係為如圖1之一種隨機存取記憶體之記憶體胞元MC，其中係為包含1個MTJ(Magnetic Tunnel Junction)磁性穿隧接面記憶體元件MTJ、1個電晶體MSW及3個端點接線的隨機存取記憶體胞元，該3個端點接線係分別為字元線WL、位元線BL及選擇線SL，該磁性穿隧接面記憶體元件MTJ係用於記憶資料，該字元線WL及位元線BL係用於該磁性穿隧接面記憶體元件MTJ的選取，該電晶體MSW係用於該磁性穿隧接面記憶體元件MTJ的選取控制開關，該選擇線SL係配合位元線BL用於該磁性穿隧接面記憶體元件MTJ的記憶資料的讀寫電壓訊號控制。然而，該先前技術之電晶體MSW及3個端點接線會使該記憶體胞元占用固定的晶片基板面積，而使隨機存取記憶體難以高密度化或難以立體堆疊記憶體胞元。
本揭露提出僅包含1個記憶元件、1個二極體及2個端點接線的隨機存取記憶體胞元及隨機存取記憶體胞元陣列，且本揭露提出的該隨機存取記憶體胞元陣列於操作過程中能不受到操作中的記憶體胞元以外的其他的記憶體胞元所儲存的資料造成的干擾，亦不會影響到操作中的記憶體胞元以外的其他的記憶體胞元所儲存的資料。本揭露提出的僅包含1個記憶元件、1個二極體及2個端點接線的隨機存取記憶體胞元較先前技術之包含1個記憶元件、1個電晶體及3個端點接線的隨機存取記憶體胞元佔用較小的晶片基板面積，因此，於相同的晶片基板面積下可提高隨機存取記憶體的密度，節省成本，並且較易於立體堆疊記憶體胞元。
本專利申請專利範圍獨立項：
【請求項1】 一種隨機存取記憶體，包括：
至少一記憶體胞元陣列，該記憶體胞元陣列包括：
至少一記憶體胞元，該記憶體胞元具有二個端點，該記憶體胞元的第
一端點連接至一字元線，該記憶體胞元的第二端點連接至一位元線，
該記憶體胞元包括：
一種(A type of)二極體，該二極體具有一陽極與一陰極，該二極體
的陽極連接至該字元線；以及
一記憶元件，該記憶元件具有二個端點，該記憶元件的第一端點連
接至該二極體的陰極，該記憶元件的第二端點連接至該位元線，
其中，該二極體之特性具有一順向導通電壓，並且該記憶元件儲存
有一資料，該記憶元件的低電阻狀態為資料第一狀態，該記憶元件
的高電阻狀態為資料第二狀態。
【請求項2】 一種隨機存取記憶體，包括：
至少一記憶體胞元陣列，該記憶體胞元陣列包括：
至少一記憶體胞元，該記憶體胞元具有二個端點，該記憶體胞元的第
一端點連接至一字元線，該記憶體胞元的第二端點連接至一位元線，
該記憶體胞元包括：
一記憶元件，該記憶元件具有二個端點，該記憶元件的第一端點連
接至該字元線；以及
一種(A type of)二極體，該二極體具有一陽極與一陰極，該二極體
的陽極連接至該記憶元件的第二端點，該二極體的陰極連接至該位
元線，
其中，該二極體之特性具有一順向導通電壓，並且該記憶元件儲存
有一資料，該記憶元件的低電阻狀態為資料第一狀態，該記憶元件
的高電阻狀態為資料第二狀態。