專利-1為台灣專利，名稱為"隨機存取記憶體"，專利申請日為2025/10/13，專利公告日為2025/12/21，專利公告號為TWM678655U。

本專利之實施例的記憶體胞元陣列之操作條件，可讓受操作的記憶體胞元正確地被實施該操作，並且，連接相同寫入字元線及選擇字元線的其他的記憶體胞元或連接其他的寫入字元線及選擇字元線的數個記憶體胞元所儲存的資料不會受到影響。本專利之隨機存取記憶體較先前技術之隨機存取記憶體具較少的記憶體胞元接線數目、具有佔更小的晶片基板面積以及不需要額外執行立體電容元件的製程的優點，

先前技術提出了如圖1之一種隨機存取記憶體之記憶體胞元，其中係為包括3個電晶體及5個接線的隨機存取記憶體胞元。該3個電晶體分別為寫入電晶體MW、資料儲存電晶體MDS及讀取電晶體MR，5個接線分別為讀取字元線RWL、寫入字元線WWL、讀取位元線RBL、寫入位元線WBL及地線GND，該儲存閘極SG的特定狀態使該資料儲存電晶體MDS儲存有一資料。然而，該先前技術之5個接線會使該記憶體胞元占用固定的晶片基板面積。

本專利為改善如先前技術之包括3個電晶體及5個接線的隨機存取記憶體胞元占用較大的固定的晶片基板面積的缺點，本專利提出僅包括3個接線的隨機存取記憶體胞元及隨機存取記憶體胞元陣列，且本專利提出的該隨機存取記憶體胞元陣列於使用操作過程中能不受到操作的記憶體胞元以外的其他的記憶體胞元所儲存的資料造成的干擾，亦不會影響到操作的記憶體胞元以外的其他的記憶體胞元所儲存的資料。本專利提出的僅包括3個接線的隨機存取記憶體胞元較先前技術之5個接線的隨機存取記憶體胞元佔用較小的晶片基板面積，因此，於相同的晶片基板面積下可提高隨機存取記憶體胞元的密度，節省成本。

本專利申請專利範圍獨立項：

【請求項1】 一種隨機存取記憶體，包括：

至少一記憶體胞元陣列，該記憶體胞元陣列包括：

至少一記憶體胞元，該記憶體胞元包括：

一寫入電晶體，該寫入電晶體包括：

一閘極，連接至一寫入字元線；以及

一對汲/源極位於該寫入電晶體的閘極的兩側，該寫入電晶體的

該對汲/源極的一者連接至一位元線；

一資料儲存電晶體，該資料儲存電晶體包括：

一閘極，連接至該寫入電晶體的該對汲/源極的另一者；以及

一對汲/源極位於該資料儲存電晶體的閘極的兩側，該資料儲存

電晶體的該對汲/源極的一者連接至該位元線；以及

一電流控制元件，該電流控制元件的第一端點連接至該資料儲存電

晶體的該對汲/源極的另一者，該電流控制元件的第二端點連接至一

選擇字元線，該電流控制元件用以控制該資料儲存電晶體的該對汲/

源極的另一者與該選擇字元線間的電流的流動，

其中，該資料儲存電晶體儲存有一資料，該資料儲存電晶體的導通

狀態為資料第一狀態，該資料儲存電晶體的不導通狀態為資料第二

狀態。

【請求項4】 一種隨機存取記憶體，包括：

至少一記憶體胞元陣列，該記憶體胞元陣列包括：

至少一記憶體胞元，該記憶體胞元包括：

一寫入電晶體，該寫入電晶體包括：

一閘極，連接至一寫入字元線；以及

一對汲/源極位於該寫入電晶體的閘極的兩側，該寫入電晶體的

該對汲/源極的一者連接至一位元線；

一資料儲存電晶體，該資料儲存電晶體包括：

一閘極，連接至該寫入電晶體的該對汲/源極的另一者；以及

一對汲/源極位於該資料儲存電晶體的閘極的兩側，該資料儲存

電晶體的該對汲/源極的一者連接至一選擇字元線；以及

一電流控制元件，該電流控制元件的第一端點連接至該資料儲存電

晶體的該對汲/源極的另一者，該電流控制元件的第二端點連接至該

位元線，該電流控制元件用以控制該資料儲存電晶體的該對汲/源極

的另一者與該位元線間的電流的流動，

其中，該資料儲存電晶體儲存有一資料，該資料儲存電晶體的導通

狀態為資料第一狀態，該資料儲存電晶體的不導通狀態為資料第二

狀態。